商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术-电压控制小信号开关-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流
商品特性
- 静电放电（ESD）保护高达2.0 kV（人体模型）
应用领域
- 电池供电系统
- 固态继电器
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 12V、24V汽车系统
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