商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术-电压控制小信号开关-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流
商品特性
- 漏源电压VDS = 40V
- 漏极电流ID = 50A(栅源电压VGS = 10V)
- 导通电阻RDS(ON) < 9.8mΩ(栅源电压VGS = 10V)
- 导通电阻RDS(ON) < 13mΩ(栅源电压VGS = 4.5V)
- 静电放电保护
- 100%进行了非钳位感性负载测试
- 100%进行了栅极电阻测试
- 绿色产品
- 符合RoHS标准
应用领域
- PWM
- 负载开关
- 通用应用
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