IPD03N03LA G
IPD03N03LA G
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD03N03LA G
- 商品编号
- C20570478
- 商品封装
- PG-TO252-3-11
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2nF |
商品概述
CGHV14500是一款氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专门设计用于实现高效率、高增益和宽带宽，这使得CGHV14500非常适合直流至1.8 GHz的L波段雷达放大器应用。该晶体管可用于800至1600 MHz的特定频段应用。封装选项包括陶瓷/金属法兰封装和药丸封装。
商品特性
- 非常适合高频直流-直流转换器
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- N沟道、逻辑电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(品质因数FOM)
- 卓越的热阻性能
- 工作温度可达175°C
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
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