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STH240N75F3-2引脚图
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STH240N75F3-2

STH240N75F3-2

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商品型号
STH240N75F3-2
商品编号
C20566523
商品封装
H2Pak-2​
包装方式
编带
商品毛重
1.811625克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)75V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on))2.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)87nC
输入电容(Ciss)6.8nF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.1nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

这些器件是采用STripFET III技术制造的N沟道增强型功率MOSFET,该技术专门用于最小化导通电阻和栅极电荷,以提供卓越的开关性能。

商品特性

-降低传导损耗-薄型封装,极低寄生电感

应用领域

-开关应用

数据手册PDF