IS42S32160A-75B
4M Words x 32 Bits x 4 Banks (512-MBIT) 同步动态随机存取存储器
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- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS42S32160A-75B
- 商品编号
- C20560265
- 商品封装
- 90-LFBGA (8x13)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 功能特性 | 自动预充电；自动刷新；高速时钟同步 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
ISSI/IS42S32160A是一款高速CMOS器件，配置为具有同步接口的四路4M x 32 DRAM（所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存）。它通过堆叠两个256Mb、16M x 16的器件进行内部配置。每个4M x 32位存储体被组织为8192行x 512列x 32位。读写访问从编程序列中的选定位置开始。访问从BankActive命令的寄存开始，随后是读或写命令。ISSI IS42S32160A提供可编程的读或写突发长度，分别为1、2、4、8或整页，并具有突发终止操作。可以启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自定时行预充电。刷新功能（自动或自刷新）易于使用。通过拥有可编程模式寄存器，系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些器件非常适合需要高内存带宽的应用。
商品特性
- 并发自动预充电，时钟频率：133 MHz
- 全同步操作
- 内部流水线架构，四个内部存储体（4M x 32位x 4存储体）
- 可编程模式
- CAS#延迟：2或3
- 突发长度：1、2、4、8或整页
- 突发类型：交错或线性突发
- 突发停止功能
- 由DQM0 - 3单独控制字节
- 自动刷新和自刷新
- 每64ms进行8K次刷新周期
- 工业级每32ms进行8K次刷新周期
- 单+3.3V ± 0.3V电源
- 接口：LVTTL
- 封装：8x13mm，90球LF - BGA，球间距0.8mm，球尺寸0.45mm
- 提供无铅封装，适用于工业温度范围
应用领域
- 高内存带宽应用
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