商品参数
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| 功能特性 | - |
商品概述
Cree的CGHV22200是一款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为实现高效率、高增益和宽带宽能力而设计。这使得CGHV22200F非常适合用于1.8 - 2.2 GHz的LTE、4G电信和宽带接入(BWA)放大器应用。该晶体管进行了输入匹配,并采用陶瓷/金属法兰封装。
商品特性
- 符合RoHS标准
- 工作频率范围为1.8 - 2.2 GHz
- 增益为18 dB
- 在50 W平均功率下邻道泄漏比(ACLR)为 -35 dBc
- 在50 W平均功率下效率为31 - 35%
- 可进行高度的数字预失真(DPD)校正
应用领域
- LTE
- 4G电信
- 宽带接入(BWA)
- FCQ38999/20TF32SEMIL-STD-461
- FCQ38999/24FD35PNMIL-STD-461
- FCQ38999/24JF35PNMIL-STD-461
- XB-V09-201-S(U)
- 6766346-1
- FCQ38999/24FB2ADMIL-STD-461
- FCQ38999/20SD97PBMIL-STD-461
- GTCL00-28-6SY-LC
- FCQ38999/24MB35SDMIL-STD-461
- FCQ38999/26WJ11PEMIL-STD-461
- A/CTV2-150
- CZ3665-000
- FCQ38999/26FF18PNMIL-STD-461
- FCQ38999/23YC98PBMIL-STD-461
- LM1973MX/NOPB
- FCQ38999/26JF32PEMIL-STD-461
- FCQ38999/26SC35HNMIL-STD-461
- MT45W4MW16PFA-85 WT
- FCQ38999/26JG39PAMIL-STD-461
- RT4801HWSC
- FCQ38999/26KE2AAMIL-STD-461

