MT62F1G32D2DS-026 WT:B

Name: micron(镁光) MT62F1G32D2DS-026 WT:B
Brand: micron(镁光)
SKU: C20555309
Price: 369.6 CNY
Availability: OutOfStock

LPDDR5X SDRAM

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描述: 特性：架构: -每通道最大带宽17.1 GB/s。频率范围：1067-5 MHz（每引脚数据速率范围：8533-40 Mb/s，WCK:CK = 4:1）。可选CKR（WCK:CK = 2:1或4:1）。LPDDR5X/LPDDR5数据接口。单x16通道/裸片。双倍数据速率命令/地址输入。差分命令时钟（CK_t/CK_c），用于高速操作。差分数据时钟（WCK_t/WCK_c）
品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT62F1G32D2DS-026 WT:B
商品编号: C20555309
商品封装: 200-WFBGA(10x14.5)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)
	存储容量	32Gbit
	时钟频率(fc)	937.5MHz

	属性	参数值
	工作电压	1.05V
	功能特性	自动重置；自动刷新；高速时钟同步
	工作温度	-25℃~+85℃

商品特性

每通道最大带宽为17.1 GB/s
频率范围：1067 - 5000 MHz（每引脚数据速率范围：8533 - 40000 Mb/s，WCK:CK = 4:1）
可选择的时钟比（WCK:CK = 2:1 或 4:1）
单x16通道/晶粒
双倍数据率命令/地址输入
用于高速操作的差分命令时钟（CK_t/CK_c）
差分数据时钟（WCK_t/WCK_c）
可选的差分读选通（RDQS_t/RDQS_c）
16n位或32n位预取架构
支持的存储体架构：8存储体（8B）模式、存储体组（BG）模式和16存储体（16B）模式
在存储体组或16存储体模式下，可通过命令选择突发长度（BL = 16 或 32）
后台ZQ校准/基于命令的ZQ校准
可选的链路保护（链路ECC）
支持段掩码的部分阵列自刷新（PASR）和部分阵列自动刷新（PAAR）
超低电压核心和I/O电源供电
VDD1 = 1.70 - 1.95V；典型值1.80V
VDD2H = 1.01 - 1.12V；典型值1.05V
VDD2L = VDD2H 或 0.87 - 0.97V；典型值0.90V
VDDQ = 0.50V 或 0.45V 典型值；0.30V 典型值（仅限ODT关闭时）
接口：LVSTL 0.5/0.3
I/O类型：低摆幅单端，以VSS为终端
具有VOH补偿的输出驱动
可编程的VSS片上终端（ODT）
支持非目标ODT
支持DVFSQ
DVFSC：动态电压频率缩放核心
单端CK、单端WCK和单端RDQS
数据复制
写X
工作电压：VDD1 / VDD2H / VDD2L / VDDQ / VDDQ（仅限ODT关闭时）：1.80V / 1.05V / VDD2H或0.90V / 0.50V或0.45V / 0.30V
阵列配置：1Gb × 16（1Gb16 × 1晶粒 × 1通道 × 1列）1G16；1Gb × 32（1Gb16 × 1晶粒 × 2通道 × 1列）1G32；2Gb × 32（1Gb16 × 1晶粒 × 2通道 × 2列）2G32；4Gb × 32（2Gb8 × 2晶粒 × 2通道 × 2列）4G32；1Gb × 64（1Gb16 × 1晶粒 × 4通道 × 1列）1G64；2Gb × 64（1Gb16 × 1晶粒 × 4通道 × 2列）2G64
器件配置：封装内1个晶粒（1Gb16 × 1晶粒）D1；封装内2个晶粒（1Gb16 × 2晶粒）D2；封装内4个晶粒（1Gb16 × 4晶粒）D4；封装内8个晶粒（2Gb8 × 8晶粒）D8；封装内8个晶粒（1Gb16 × 8晶粒）D8
符合RoHS标准的“绿色”FBGA封装：315球TFBGA DS，典型尺寸12.4mm × 15.0mm，安装高度最大1.1mm；315球LFBGA DV，典型尺寸12.4mm × 15.0mm，安装高度最大1.3mm；441球TFBGA EK，典型尺寸14.0mm × 14.0mm，安装高度最大1.1mm；563球WFBGA AH，典型尺寸7.0mm × 12.4mm，安装高度最大0.675mm；563球VFBGA AJ，典型尺寸7.0mm × 12.4mm，安装高度最大0.915mm
速度等级，周期时间（tWCK）：8533 Mb/s -023；7500 Mb/s -026
工作温度：-25°C ≤ Tc ≤ +85°C WT；-40°C ≤ Tc ≤ +95°C

数据手册PDF

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