商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 149A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
这款STripFET III功率MOSFET技术是最新的改进成果之一,专门针对降低导通电阻进行了优化,可提供卓越的开关性能。
商品特性
- 超低损耗
- 高频运行
- MOSFET关断无拖尾电流
- 常关型、故障安全器件运行
- 氮化铝陶瓷基板
- 可选预涂覆热界面材料
应用领域
- DC-DC转换器
- 电动汽车充电器
- 高效转换器/逆变器
- 可再生能源
- 智能电网/并网分布式发电
- EF8576-000
- FSF55NGT
- FCQ38999/27YE22PEMIL-STD-461
- FCQ38999/24F37SNMIL-STD-461
- FCQ38999/26FF11SEMIL-STD-461
- FCQ38999/26JH21SCMIL-STD-461
- RD2CB-24OVAC
- FCQ38999/24LF35PAMIL-STD-461
- TZB4Z250AA10R00
- B7603-L
- GTC06A20-24SZ-023-LC
- AI-RD-04
- ACC08CF32-68P-003-B30-LC
- FCQ38999/20TH53PNMIL-STD-461
- FCQ38999/20ZE26HAMIL-STD-461
- FCQ38999/20SD19PEMIL-STD-461
- LB3F-2T53R
- A/10K-E1-AP
- FCQ38999/20SJ7PNMIL-STD-461
- CF25-824JTR
- GTC06LCF32-68SX-025-B30-LC

