IS43LR16400B-6BLI
1Mx16BitsX4Banks 移动型 DDR SDRAM
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- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS43LR16400B-6BLI
- 商品编号
- C20546892
- 商品封装
- 60-TFBGA (8x10)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 166MHz | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 40mA | |
| 刷新电流 | 120uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；数据掩码功能 |
商品概述
IS43/46LR16400B是一款67,108,864位的CMOS移动双倍数据速率同步动态随机存取存储器（SDRAM），其结构为4个存储体，每个存储体有1,048,576个16位字。该产品采用双倍数据速率架构以实现高速运行。数据输入/输出信号通过16位总线传输。双倍数据速率架构本质上是一种2N预取架构，其接口设计为在I/O引脚每个时钟周期传输两个数据字。该产品提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径采用内部流水线和2n位预取技术，以实现非常高的带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
商品特性
- 符合JEDEC标准的1.8V电源供电
- VDD = 1.8V，VDDQ = 1.8V
- 四个内部存储体可并发操作
- 带有地址键编程的MRS周期
- CAS延迟为2、3个时钟周期
- 突发长度为2、4、8、16
- 突发类型为顺序和交错
- 全差分时钟输入（CK，/CK）
- 除数据和DM外，所有输入在系统时钟上升沿采样
- 数据选通信号的两个边沿都进行数据I/O事务处理
- 每个数据字节都有双向数据选通信号（DQS）
- DM仅用于写屏蔽
- 数据和数据选通输出边沿对齐
- 数据和数据选通输入中心对齐
- 64ms刷新周期（4K周期）
- 自动和自刷新
- 并发自动预充电
- 最大时钟频率高达166MHz
- 最大数据速率高达333Mbps/引脚
- 支持节能
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 自动温度补偿自刷新（Auto TCSR）
- 深度掉电模式
- 可编程驱动强度控制，可选择全强度或全强度的1/2、1/4、1/8
- LVCMOS兼容的输入/输出
- 60球FBGA封装