STB4N62K3
STB4N62K3
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB4N62K3
- 商品编号
- C20546819
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 620V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些SuperMESH 3TM功率MOSFET是意法半导体SuperMESHTM技术改进的成果,并结合了全新优化的垂直结构。这些器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力,使其适用于要求最为严苛的应用场景。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt能力
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
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