IS43LR16160F-6BLI-TR

4M x 16位 x 4组移动DDR SDRAM

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品牌名称: ISSI(北京矽成)
商品型号: IS43LR16160F-6BLI-TR
商品编号: C20544948
商品封装: TFBGA-60(8x10)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	45mA
	刷新电流	300uA
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；数据掩码功能

商品概述

IS43/46LR16160F是一款268,435,456位的CMOS移动双倍数据速率同步动态随机存取存储器（SDRAM），其组织形式为4个存储体，每个存储体包含4,194,304个16位字。该产品采用双倍数据速率架构以实现高速运行。数据输入/输出信号通过16位总线传输。双倍数据速率架构本质上是一种2N预取架构，其接口设计为在每个时钟周期内在I/O引脚传输两个数据字。该产品提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径在内部采用流水线设计，并进行2n位预取以实现非常高的带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。

商品特性

JEDEC标准1.8V电源供电。
VDD = 1.8V，VDDQ = 1.8V
四个内部存储体可并发操作
带地址键编程的MRS周期
CAS延迟2、3（时钟）
突发长度（2、4、8、16）
突发类型（顺序和交错）
全差分时钟输入（CK、/CK）
除数据和DM外，所有输入在系统时钟上升沿采样
数据选通信号的两个边沿进行数据I/O事务处理
每个数据字节的双向数据选通（DQS）
DM仅用于写屏蔽
边沿对齐的数据和数据选通输出
中心对齐的数据和数据选通输入
64ms刷新周期（8K周期）
自动和自刷新
并发自动预充电
最大时钟频率高达200MHz
最大数据速率高达400Mbps/引脚
支持节能
PASR（部分阵列自刷新）
自动TCSR（温度补偿自刷新）
深度掉电模式
可编程驱动强度控制，可设置为全强度或全强度的3/4、1/2、1/4或1/8
状态寄存器读取（SRR）
LVCMOS兼容输入/输出
60球FBGA封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR SDRAM
	时钟频率(fc)	166MHz
	存储容量	256Mbit
	工作电压	1.8V