AS4C256M16D3L-12BIN
4Gb DDR3L同步动态随机存取存储器
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- AS4C256M16D3L-12BIN
- 商品编号
- C20541352
- 商品封装
- 96-FBGA (9x13)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 800MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.283V~1.45V | |
| 功能特性 | 自动预充电；自动刷新；高速时钟同步 | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ |
商品概述
4Gb AS4C256M16D3L双数据速率3（DDR3L）DRAM采用双数据速率架构以实现高速运行。它内部配置为一个八存储体DRAM。4Gb芯片被组织为32Mbit x 16个I/O x 8个存储体设备。这些同步设备在一般应用中可实现高达1600 Mb/秒/引脚的高速双数据速率传输。该芯片设计符合所有关键DDR3L DRAM的关键特性，所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK#下降）被锁存。所有I/O以源同步方式与差分DQS对同步。这些设备使用单个1.35V -0.067V /+0.1V电源供电，并提供BGA封装。
商品特性
- 符合JEDEC标准
- 电源：VDD和VDDQ = +1.35V
- 向后兼容：VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
- 工作温度：商业级（0 ~ 95°C）；工业级（-40 ~ 95°C）
- 支持JEDEC时钟抖动规范
- 完全同步操作
- 快速时钟速率：800MHz
- 差分时钟，CK和CK#
- 双向差分数据选通 -DQS和DQS#
- 8个内部存储体用于并发操作
- 8n位预取架构
- 内部流水线架构
- 预充电和主动掉电
- 可编程模式和扩展模式寄存器
- 附加延迟（AL）：0、CL - 1、CL - 2
- 可编程突发长度：4、8
- 突发类型：顺序/交错
- 输出驱动器阻抗控制
- 8192次刷新周期 / 64ms
- 平均刷新周期：7.8μs（-40°C ≤ TC ≤ +85°C）；3.9μs（+85°C < TC ≤ +95°C）
- 写入校准
- OCD校准
- 动态ODT（Rtt_Nom和Rtt_WR）
- 符合RoHS标准
- 自动刷新和自刷新
- 96球9×13×1.2mm FBGA封装，无铅和无卤
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