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NTBG040N120M3S
NTBG040N120M3S
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- 描述
- 特性：Typ. RDS(on) = 40 mΩ @ VGS = 18 V。 Ultra Low Gate Charge (QG(TOT) = 75 nC)。 High Speed Switching with Low Capacitance (Cₒₛₛ = 80 pF)。应用：Solar Inverters
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBG040N120M3S
- 商品编号
- C20539235
- 商品封装
- D2PAK7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 57A | |
| 耗散功率(Pd) | 263W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ |
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