温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BUK4D38-20PH
20V P沟道沟槽MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 采用沟槽 MOSFET 技术的 P 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用中功率 DFN2020MD - 6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK4D38-20PH
- 商品编号
- C20538723
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.025nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 113pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 137pF |
商品概述
CJAB55P03A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 扩展温度范围Tj = 175°C
- 侧面可焊边,便于光学焊料检查
- 静电放电(ESD)保护 >1 kV HBM(H1C类)
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-直流到直流转换-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路
相似推荐
其他推荐