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BUK4D38-20PH
20V P沟道沟槽MOSFET
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- 描述
- 采用沟槽 MOSFET 技术的 P 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用中功率 DFN2020MD - 6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK4D38-20PH
- 商品编号
- C20538723
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.025nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 113pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 137pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单
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