- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BUK4D38-20PH
20V P沟道沟槽MOSFET
- 描述
- 采用沟槽 MOSFET 技术的 P 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用中功率 DFN2020MD - 6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK4D38-20PH
- 商品编号
- C20538723
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.025nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 113pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 137pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、中功率DFN2020MD - 6(SOT1220)表面贴装器件(SMD)塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 扩展温度范围Tj = 175°C
- 侧面可焊边,便于光学焊料检查
- 静电放电(ESD)保护 >1 kV HBM(H1C类)
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-直流到直流转换-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路
- FCQ38999/21YF18PBMIL-STD-461
- GTC02R20-24SY-B30-LC
- 6450553-6
- FCQ38999/20GB2SAMIL-STD-461
- GTC06LCF32-6P-025-B30-LC
- CGHV27030S-AMP1
- FCQ38999/26TA94PEMIL-STD-461
- FCQ38999/25YG79PDMIL-STD-461
- 1-1415539-4
- FCQ38999/20SJ7ACMIL-STD-461
- FCQ38999/24TJ7BNMIL-STD-461
- GTC08A32A30S-LC
- FCQ38999/20TD5PNMIL-STD-461
- FCQ38999/20TH6ABMIL-STD-461
- GTCL08AF32-AFPX-B30-LC
- FCQ38999/24MJ24SCMIL-STD-461
- FCQ38999/20GD97PBMIL-STD-461
- FCQ38999/20MJ35PDMIL-STD-461
- GTC08-32-64SZ-025-LC
- FCQ38999/24KJ4SDMIL-STD-461
- GTC00G28-11PY-B30-LC