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IS62WV5128BLL-55T2I-TR引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IS62WV5128BLL-55T2I-TR

512KX8 低电压超低功耗 CMOS 静态 RAM

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品牌名称
ISSI(北京矽成)
商品型号
IS62WV5128BLL-55T2I-TR
商品编号
C20532807
商品封装
32-TSOP II​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量4Mbit
工作电压2.5V~3.6V
读写时间55ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流45mA
待机电流15uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

ISSI IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态随机存取存储器,组织形式为512K字×8位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,产生了高性能、低功耗的器件。当CS1为高电平(未选中)时,器件进入待机模式,此时使用CMOS输入电平可降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效写使能(WE)控制存储器的读写操作。IS62WV5128ALL和IS62WV5128BLL采用JEDEC标准的32引脚TSOP(I型)、32引脚sTSOP(I型)、32引脚TSOP(II型)、32引脚SOP和36引脚迷你BGA封装。

商品特性

  • 高速访问时间:55ns、70ns
  • CMOS低功耗运行
  • 典型工作功耗36mW
  • 典型CMOS待机功耗9μW
  • TTL兼容接口电平
  • 单电源供电
  • 1.65V - 2.2V VDD(IS62WV5128ALL)
  • 2.5V - 3.6V VDD(IS62WV5128BLL)
  • 完全静态操作:无需时钟或刷新
  • 三态输出
  • 工业温度范围可用
  • 无铅可选

数据手册PDF