IS62WV5128BLL-55T2I-TR
512KX8 低电压超低功耗 CMOS 静态 RAM
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- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS62WV5128BLL-55T2I-TR
- 商品编号
- C20532807
- 商品封装
- 32-TSOP II
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 2.5V~3.6V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 45mA | |
| 待机电流 | 15uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
ISSI IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态随机存取存储器,组织形式为512K字×8位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,产生了高性能、低功耗的器件。当CS1为高电平(未选中)时,器件进入待机模式,此时使用CMOS输入电平可降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效写使能(WE)控制存储器的读写操作。IS62WV5128ALL和IS62WV5128BLL采用JEDEC标准的32引脚TSOP(I型)、32引脚sTSOP(I型)、32引脚TSOP(II型)、32引脚SOP和36引脚迷你BGA封装。
商品特性
- 高速访问时间:55ns、70ns
- CMOS低功耗运行
- 典型工作功耗36mW
- 典型CMOS待机功耗9μW
- TTL兼容接口电平
- 单电源供电
- 1.65V - 2.2V VDD(IS62WV5128ALL)
- 2.5V - 3.6V VDD(IS62WV5128BLL)
- 完全静态操作:无需时钟或刷新
- 三态输出
- 工业温度范围可用
- 无铅可选
- MT40A4G4FSE-083E:A TR
- 2101-0180-15
- FCQ38999/27YH21PAMIL-STD-461
- A1004SS22P2-F
- GTC030-24-9SZ-025-RDS-LC
- GTC06A20-29SZ-023-LC
- GTC030R24-12SY-025-LC
- FCQ38999/24SJ29PCMIL-STD-461
- FCQ38999/27YD5PNMIL-STD-461
- Q5-GENL-100L-O-X-DIESEL
- ACC06R24-20PW-025-B30-LC
- FCQ38999/20JJ4SAMIL-STD-461
- FCQ38999/24SD35PAMIL-STD-461
- FCQ38999/24JJ24PDMIL-STD-461
- FCQ38999/28-9KMIL-STD-461
- 1650338-2
- FCQ38999/20TG41SDMIL-STD-461
- GTC030F32-52S-LC
- GTC030A24-9PW-025-LC
- 500/12 31 DS
- ACC01A18-6R-003-LC

