IS43R32800B-6BL-TR
256Mb DDR同步动态随机存取存储器
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- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS43R32800B-6BL-TR
- 商品编号
- C20514048
- 商品封装
- 144-MiniBGA (12x12)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 166MHz | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 工作电压 | 2.3V~2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 230mA | |
| 刷新电流 | 5mA | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 功能特性 | 自动预充电功能;数据掩码功能 |
商品概述
IS43R32800B是一款4组x 2,097,152字x 32位的双倍数据速率同步动态随机存取存储器,具有SSTL_2接口。所有控制和地址信号都参考CLK的上升沿。输入数据在数据选通的两个边沿进行寄存,输出数据和数据选通参考CLK的两个边沿。IS43R32800B可实现高达200 MHz的高速时钟速率。它采用144球FBGA封装。
商品特性
- VDD / VDDQ = 2.5 V ± 0.2 V (-5, -6, -75)
- 双倍数据速率架构;每个时钟周期进行两次数据传输
- 双向数据选通(DQS)与数据一起发送/接收
- 差分时钟输入(CLK和/CLK)
- DLL使DQ和DQS转换与DQS的CLK转换边沿对齐
- 在每个CLK正边沿输入命令;数据和数据掩码参考DQS的两个边沿
- 4组操作由BA0、BA1(组地址)控制
- /CAS延迟 - 2.0/2.5/3.0(可编程)
- 突发长度 - 2/4/8(可编程)
- 突发类型 - 顺序/交错(可编程)
- 自动预充电/所有组预充电由A8控制
- 4096次刷新周期/64ms(4组同时刷新)
- 自动刷新和自刷新
- 行地址A0 - 11/列地址A0 - 7,A9 - SSTL_2接口
- 封装为144球FBGA
- 适用于工业温度
- 温度范围:商业级(0°C至 +70°C),工业级(-40°C至 +85°C)
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