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IS42S16800D-6B-TR

128MB同步动态随机存取存储器

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描述: IS42S16800D是一款128Mb Synchronous DRAM，支持166MHz、143MHz和133MHz的时钟频率。它具有多种工作模式，包括可编程的突发长度和CAS延迟，适用于高速数据传输。该器件采用3.3V供电，支持工业温度范围（-40°C至85°C）。
品牌名称: ISSI(美国芯成)
商品型号: IS42S16800D-6B-TR
商品编号: C20513885
商品封装: 54-MiniBGA (8x13)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)
	存储容量	128Mbit
	时钟频率(fc)	166MHz

	属性	参数值
	工作电压	3.3V
	功能特性	自动预充电；自动刷新；高速时钟同步；自动列地址生成
	工作温度	-40℃~+85℃

商品概述

ISSI的128Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM）采用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。该128Mb SDRAM的组织方式如下：它是一个高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ的存储系统，包含134,217,728位。内部配置为具有同步接口的四存储体DRAM。每个33,554,432位的存储体被组织为4,096行×512列×16位或4,096行×1,024列×8位。该SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿进行寄存。所有输入和输出都与LVTTL兼容。它能够以高数据速率同步突发传输数据，具有自动列地址生成功能，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址。启用自动预充电功能后，可在突发序列结束时启动自定时行预充电。在访问其他三个存储体之一时对一个存储体进行预充电，将隐藏预充电周期并提供无缝、高速、随机访问操作。SDRAM的读写访问是面向突发的，从选定位置开始，并按照编程序列在编程的位置数量上继续进行。激活命令的寄存开始访问，随后是读或写命令。激活命令与已寄存的地址位一起用于选择要访问的存储体和行（BA0、BA1选择存储体；A0 - A11选择行）。读或写命令与已寄存的地址位一起用于选择突发访问的起始列位置。可编程的读或写突发长度包括1、2、4和8个位置或整页，并具有突发终止选项。

商品特性

时钟频率：166、143、133 MHz
完全同步；所有信号参考正时钟沿
用于隐藏行访问/预充电的内部存储体
电源：LVTTL接口
可编程突发长度 - （1、2、4、8、整页）
可编程突发序列：顺序/交错
自动刷新（CBR）
具有可编程刷新周期的自刷新
每64 ms有4096个刷新周期
每个时钟周期随机列地址
可编程的CAS（上划线）延迟（2、3个时钟）
突发读/写和突发读/单写操作能力
通过突发停止和预充电命令终止突发
工业温度适用
无铅可用

数据手册PDF

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