W9816G6IH-6
512K x 2 BANKS x 16 BITS SDRAM
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- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W9816G6IH-6
- 商品编号
- C20513638
- 商品封装
- TSOPII-50
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 166MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 功能特性 | 自动预充电;自动刷新;高速时钟同步;自动列地址生成 | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
W9816G6IH是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),其结构为512K字×2个存储体×16位。W9816G6IH的数据带宽高达每秒2亿字。针对不同应用,W9816G6IH分为以下速度等级:-5 / -6 / -6I / -6A / -7和-7I。-5等级的部件最高可运行在200MHz/CL3或143MHz/CL2。-6 / -6I / -6A等级的部件最高可运行在166MHz/CL3(-6I为工业级,-6A为汽车级,保证支持-40°C至85°C的温度范围)。-7 / -7I等级的部件最高可运行在143MHz/CL3(-7I等级保证支持-40°C至85°C的温度范围)。对SDRAM的访问是突发式的。当通过激活命令选择一个存储体和行时,一页内的连续存储位置可以以1、2、4、8或整页的突发长度进行访问。在突发操作中,SDRAM内部计数器会自动生成列地址。通过在每个时钟周期提供地址,也可以进行随机列读取。多个存储体的特性使得内部存储体之间能够进行交错操作,以隐藏预充电时间。通过可编程模式寄存器,系统可以更改突发长度、延迟周期、交错或顺序突发,以最大化其性能。W9816G6IH非常适合用于高性能应用的主存储器。
商品特性
- -5 / -6 / -6I / -6A速度等级采用3.3V ± 0.3V电源供电
- -7 / -7I速度等级采用2.7V~3.6V电源供电
- 524,288字×2个存储体×16位结构
- 自刷新电流:标准和低功耗
- CAS延迟:2和3
- 突发长度:1、2、4、8和整页
- 突发读取、单写入模式
- 字节数据由LDQM、UDQM控制
- 自动预充电和可控预充电
- 每64毫秒4K次刷新周期
- 接口:LVTTL
- 采用50引脚、400密耳TSOP II封装,使用符合RoHS标准的无铅材料
- FCQ38999/24JH6SAMIL-STD-461
- FCQ38999/24KD15SNMIL-STD-461
- GTCL00R28-12SW-LC
- SMP4118ATR
- FCQ38999/26MC13PNMIL-STD-461
- ACC00CF32-15SZ-003-B30-LC
- ACC05A32-76P-003-B30-LC
- GTC030LCFZ32-1S-025-LC
- GTC06-32-62S-025-LC
- FCQ38999/25YB54PDMIL-STD-461
- GTC02R20-15PW-LC
- YQ14M74560S418
- ACC04E24-53R-025-LC
- FCQ38999/24KJ7SAMIL-STD-461
- FCQ38999/20KH55PCMIL-STD-461
- W632GG6KB15I TR
- FCQ38999/26SJ90PAMIL-STD-461
- FCQ38999/24ZJ7BDMIL-STD-461
- FCQ38999/26JJ17PAMIL-STD-461
- W632GU6KB-12
- FCQ38999/21NF35PEMIL-STD-461

