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MT29F4G01ABBFDWB-IT:F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT29F4G01ABBFDWB-IT:F

4Gb 1.8V x1,x2,x4: SPI NAND闪存

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描述
特性:单级单元(SLC)技术。4Gb密度。页面大小×1:4352字节(4096 + 256字节)。块大小:64页(256K + 16K字节)。平面大小:1×2048块。标准和扩展SPI兼容串行总线接口
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT29F4G01ABBFDWB-IT:F
商品编号
C20511638
商品封装
UPDFN-8(8x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.566667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量4Gbit
接口类型SPI
时钟频率(fc)83MHz
工作电压1.7V~1.95V
写周期时间(Tw)-
页写入时间(Tpp)-
属性参数值
块擦除时间(tBE)2ms
数据保留 - TDR(年)-
工作温度-40℃~+85℃
待机电流-
擦写寿命10万次
功能特性硬件复位功能;硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;ECC纠错功能;写使能锁存;软件写保护功能

商品特性

  • 单级单元(SLC)技术,4Gb密度
  • 页面大小×1:4352字节(4096 + 256字节)
  • 块大小:64页(256K + 16K字节)
  • 平面大小:1×2048块
  • 标准和扩展SPI兼容串行总线接口
  • 指令、地址在1个引脚上;数据输出在1、2或4个引脚上
  • 指令在1个引脚上;地址、数据输出在2或4个引脚上
  • 指令、地址在1个引脚上;数据输入在1或4个引脚上
  • 块内连续读取、启动就绪或可通过功能寄存器配置
  • 内部ECC默认启用,支持用户可选的内部ECC
  • 8位/扇区
  • 阵列性能:
    • 时钟频率83 MHz(最大值)
    • 页面读取:禁用片上ECC时为25μs(最大值);启用片上ECC时为135μs(最大值)
    • 页面编程:禁用片上ECC时为200μs(典型值);启用片上ECC时为240μs(典型值)
    • 块擦除:2ms(典型值)
  • 高级特性:
    • 读取页面缓存模式(×2、×4、双路、四路和随机)
    • 读取唯一ID
  • 设备初始化:上电后自动进行设备初始化
  • 安全特性:
    • 出厂时启用ECC,块7:0有效
    • 带锁存寄存器的软件写保护
    • 硬件写保护以冻结BP位
    • 锁定以在一个电源周期内冻结BP位而非使用WP#
    • 一次性可编程(OTP)空间:10页一次性可编程NAND闪存区域
    • 永久块锁定保护
  • 质量和可靠性:
    • 耐久性:100,000次编程/擦除循环
    • 数据保留:符合JESD47H标准;详见鉴定报告
    • 未循环数据保留:在85°C下24/7可保留10年
  • 工作电压范围:VCC:1.7 - 1.95V B
  • 工作温度:工业级(IT):-40°C至+85°C IT
  • 封装:
    • 8引脚U - PDFN,8mm×6mm×WB 0.65mm
    • 24球T - PBGA,05/6mm×8mm(5×12阵列)

数据手册PDF