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MT29F4G01ABBFDWB-IT:F

4Gb 1.8V x1,x2,x4: SPI NAND闪存

描述: 特性：单级单元（SLC）技术。4Gb密度。页面大小×1：4352字节（4096 + 256字节）。块大小：64页（256K + 16K字节）。平面大小：1×2048块。标准和扩展SPI兼容串行总线接口
品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT29F4G01ABBFDWB-IT:F
商品编号: C20511638
商品封装: UPDFN-8(8x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.566667克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	2ms
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	-
	擦写寿命	10万次
	功能特性	硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；写使能锁存；软件写保护功能
	ECC	有

商品概述

串行外设接口NAND闪存，采用单级单元技术，提供4Gb密度。支持标准及扩展的串行外设接口兼容串行总线接口。默认启用内部纠错码，用户可选择启用内部纠错码，支持每扇区8位。提供软件写保护、硬件写保护、一次性编程空间及永久块锁保护等功能。具备读取页面缓存模式、读取标识符等高级功能。上电后自动进行设备初始化。工作电压范围为1.7至1.95伏，工业级工作温度范围为-40摄氏度至+85摄氏度。

商品特性

采用单级单元技术，4Gb密度
组织结构：页大小4352字节，块大小64页，平面大小2048块
支持标准及扩展的串行外设接口兼容串行总线接口，指令、地址在1个引脚上，数据输出在1、2或4个引脚上
支持指令在1个引脚上，地址和数据输出在2或4个引脚上
支持指令、地址在1个引脚上，数据输入在1或4个引脚上
支持块内连续读取，启动就绪或可通过特征寄存器配置
默认启用内部纠错码，支持用户可选的内部纠错码，每扇区8位
最高时钟频率83兆赫兹
页读取时间：禁用片上纠错码时最大25微秒；启用片上纠错码时最大135微秒
页编程时间：禁用片上纠错码时典型值200微秒；启用片上纠错码时典型值240微秒
块擦除时间：典型值2毫秒
支持读取页面缓存模式、读取标识符
上电后自动设备初始化
提供软件写保护、硬件写保护、一次性编程空间及永久块锁保护
耐久性：10万次编程/擦除周期
数据保持：符合JESD47H标准；未循环数据保持：在85摄氏度下10年

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	4Gbit
	接口类型	SPI
	时钟频率(fc)	83MHz
	工作电压	1.7V~1.95V
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-