AS4C128M8D3A-12BIN

1Gb双数据速率3 DRAM高速运行

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: AS4C128M8D3A-12BIN
商品编号: C20510604
商品封装: 78-FBGA (8x10.5)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)
	存储容量	1Gbit
	时钟频率(fc)	800MHz

	属性	参数值
	工作电压	1.425V~1.575V
	功能特性	自动预充电；自动刷新；高速时钟同步
	工作温度	-40℃~+95℃

商品概述

1Gb双倍数据速率3（DDR3）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构实现高速运行。它内部配置为八存储体DRAM。1Gb芯片组织为16Mbit x 8个输入/输出（I/O）x 8存储体器件。这些同步器件在一般应用中可实现高达1866Mb/秒/引脚的高速双倍数据速率传输。该芯片设计符合所有关键DDR3 DRAM特性，所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK#下降）锁存。所有I/O以源同步方式与差分数据选通（DQS）对同步。这些器件使用单一1.5V ± 0.075V电源供电，采用球栅阵列（BGA）封装。

商品特性

符合JEDEC标准
电源：VDD和VDDQ = +1.5V ± 0.075V
工业温度范围：TC = -40 ~ 95°C
支持JEDEC时钟抖动规范
全同步操作
快速时钟速率：800MHz
差分时钟，CK和CK#
双向差分数据选通
8个内部存储体用于并发操作
8n位预取架构
流水线内部架构
预充电和主动掉电
可编程模式和扩展模式寄存器
附加延迟（AL）：0、CL - 1、CL - 2
可编程突发长度：4、8
突发类型：顺序/交错
输出驱动器阻抗控制
每64ms 8192个刷新周期
平均刷新周期：7.8μs（-40°C ≤ TC ≤ +85°C）；3.9μs（+85°C < TC ≤ +95°C）
写电平调整
ZQ校准
动态片上终端（Rtt_Nom和Rtt_WR）
符合RoHS标准
自动刷新和自刷新
78球8×10.5×1.0mm倒装芯片球栅阵列（FBGA）封装
无铅和无卤

应用领域

一般应用

数据手册PDF

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