商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.35pF | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品概述
CGHV14250是一款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专门设计用于实现高效率、高增益和宽带宽,这使得CGHV14250非常适合用于直流 - 1.6 GHz L波段雷达放大器应用。该晶体管可用于0.9至1.8 GHz的特定频段应用。封装选项有陶瓷/金属法兰和柱状封装。
商品特性
- 参考设计放大器在1.2 - 1.4 GHz频率下工作
- FET调谐范围从超高频至1800 MHz
- 典型输出功率330 W
- 功率增益18 dB
- 典型漏极效率77%
- 脉冲幅度下降 < 0.3 dB
- 输入内部预匹配,输出未匹配