IS42S32200C1-7BL-TR

64Mbit 同步动态随机存取存储器

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品牌名称: ISSI(北京矽成)
商品型号: IS42S32200C1-7BL-TR
商品编号: C20506078
商品封装: BGA-90(13x8)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)

	属性	参数值
	功能特性	自动预充电；自动刷新；高速时钟同步；自动列地址生成

商品概述

ISSI的64Mb同步DRAM IS42S32200C1被组织为524,288位x 32位x 4组，以提高性能。同步DRAM采用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。64Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V内存系统，包含67,108,864位。内部配置为具有同步接口的四组DRAM。每个16,777,216位的组被组织为2,048行x 256列x 32位。该SDRAM包括自动刷新模式和节能的掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿进行寄存。所有输入和输出都与LVTTL兼容。它能够以高数据速率同步突发数据，具有自动列地址生成功能，能够在内部组之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址。启用自动预充电功能时，可在突发序列结束时启动自定时行预充电。在访问其他三个组之一时对一个组进行预充电将隐藏预充电周期，并提供无缝、高速、随机访问操作。SDRAM的读写访问是以突发方式进行的，从选定位置开始，并按编程序列持续访问编程数量的位置。激活命令的寄存开始访问，随后是读或写命令。激活命令与寄存的地址位一起用于选择要访问的组和行（BA0、BA1选择组；A0 - A10选择行）。读或写命令与寄存的地址位一起用于选择突发访问的起始列位置。可编程的读或写突发长度包括1、2、4和8个位置或整页，并具有突发终止选项。

商品特性

时钟频率：183、166、143 MHz
完全同步；所有信号参考正时钟沿
内部组用于隐藏行访问/预充电
单3.3V电源
LVTTL接口
可编程突发长度：(1、2、4、8、整页)
可编程突发序列：顺序/交错
自刷新模式
每64 ms进行4096次刷新周期
每个时钟周期随机列地址
可编程CAS（上划线）延迟（2、3个时钟）
突发读/写和突发读/单写操作能力
通过突发停止和预充电命令终止突发
提供工业温度等级
提供400密耳86引脚TSOP II和90球BGA封装
提供无铅版本

数据手册PDF

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