商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 84V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CGH40025是一款非匹配氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。该晶体管工作于28伏电源轨，为各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案。GaN HEMT具备高效率、高增益和宽带宽特性，使CGH40025非常适合线性和压缩放大器电路。该晶体管提供螺丝固定法兰封装和焊接式药丸封装。
商品特性
- 最高6 GHz工作频率
- 2.0 GHz下15 dB小信号增益
- 4.0 GHz下13 dB小信号增益
- 典型饱和功率(PSAT)30 W
- 饱和功率(\mathsfP\mathsfSAT)下效率62%
- 28 V工作电压
应用领域
- 双向专用无线电
- 宽带放大器
- 蜂窝基础设施
- 测试仪器
- 适用于正交频分复用(OFDM)、宽带码分多址(W-CDMA)、增强型数据速率GSM演进技术(EDGE)、码分多址(CDMA)波形的A类、AB类放大器
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