USB2224-NE-04
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 缓冲器/驱动器/收发器 | |
| 输入类型 | 施密特触发器 | |
| 工作电压 | 2.97V~3.63V;1.62V~1.98V | |
| 通道类型 | 双向 | |
| 灌电流(IOL) | 8mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 4mA | |
| 系列 | USB2224 | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 静态电流(Iq) | 215uA |
商品特性
- 用于将SmartMedia、xD图像卡、记忆棒、高速记忆棒、记忆棒PRO、MS Duo、安全数码卡、迷你安全数码卡、Transflash、多媒体卡、缩小尺寸多媒体卡、NAND闪存、紧凑型闪存卡、CF Ultra I & II以及CF规格的ATA硬盘连接到USB2.0总线的完整系统解决方案。
- 支持符合USB批量传输的大容量存储设备,具备可引导BIOS,支持上述所有设备同时运行(每组设备一次仅支持一个:CF或ATA硬盘、SM或XD或NAND、SD或MMC)。
- 片上4位高速记忆棒和MS PRO硬件电路
- 片上固件可读写高速记忆棒和MS PRO
- 硬件执行1位ECC纠错,实现最高效率
- 通过USB总线供电认证
- 3.3伏I/O,具备5V输入容限
- 完全兼容USB规范2.0,支持总线供电操作
- 包含USB2.0收发器
- 提供一个双向控制端点和一个双向批量端点。
- 8051 8位微处理器
- 提供低速控制功能
- 平均每条指令4个时钟周期,执行速度达30 MHz
- 12K字节内部SRAM,用作通用暂存区
- 768字节内部SRAM,在刷新外部ROM时用作通用暂存区或程序执行区
- 双缓冲批量端点
- 双向512字节批量端点缓冲区
- 64字节RX控制端点缓冲区
- 64字节TX控制端点缓冲区
- 内部或外部程序存储器接口
- 64K字节内部代码空间,或可选使用闪存、SRAM或EPROM的64K字节外部代码空间。
- 板载12MHz晶体驱动电路
- 片上1.8V稳压器,用于低功耗核心操作
- 内部PLL,用于480MHz USB2.0采样,可配置MCU时钟
- 若使用“引导块”闪存程序存储器,支持通过USB总线进行固件升级
- 15个GPIO用于特殊功能:LED指示灯、按钮输入、对存储设备的电源控制等。
- 输入能够以边沿触发方式产生中断
- 属性位控制功能:
- 活动LED极性/操作/闪烁速率
- 全卡或部分卡合规性检查
- 总线或自供电
- LUN配置和分配
- 写保护极性
- 笔记本应用中无卡插入时断开连接
- xD合规的盖子开关操作
- 查询命令操作
- SD写保护操作
- 支持旧款CF卡
- 强制USB 1.1报告
- 与微软WinXP、WinME、Win2K SP3、苹果OS10、Softconnex和Linux多LUN大容量存储类驱动程序兼容
- 可从SMSC获取Win2K、Win98/98SE和苹果OS8.6及OS9多LUN大容量存储类驱动程序
- 128引脚TQFP封装(高度1.0mm,尺寸14mm x 14mm);也提供无铅封装
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