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IS45S16800E-7TLA1-TR引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IS45S16800E-7TLA1-TR

128Mb同步动态随机存取存储器

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品牌名称
ISSI(北京矽成)
商品型号
IS45S16800E-7TLA1-TR
商品编号
C20492431
商品封装
54-TSOP II​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录同步动态随机存取内存(SDRAM)
存储容量128Mbit
时钟频率(fc)143MHz
属性参数值
工作电压3V~3.6V
功能特性自动预充电;自动刷新;高速时钟同步;自动列地址生成
工作温度-40℃~+105℃

商品概述

ISSI的128Mb同步动态随机存取存储器(SDRAM)采用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。该128Mb SDRAM内部配置为具有同步接口的四存储体DRAM,包含134,217,728位。每个33,554,432位的存储体可组织为4,096行×512列×16位或4,096行×1,024列×8位。它包括自动刷新模式和节能掉电模式,所有信号在时钟信号CLK的正边沿寄存,所有输入和输出都与LVTTL兼容。该SDRAM能够以高数据速率同步突发数据,具有自动列地址生成功能,能在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间,并能在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址。启用自动预充电功能时,可在突发序列结束时启动自定时行预充电。预充电一个存储体同时访问其他三个存储体之一可隐藏预充电周期,提供无缝、高速、随机访问操作。SDRAM的读写访问是面向突发的,从选定位置开始,并按编程序列持续访问编程数量的位置。

商品特性

  • 时钟频率:166、143 MHz
  • 完全同步;所有信号参考正时钟边沿
  • 内部存储体用于隐藏行访问/预充电
  • 电源:IS45S81600E的VDD和VDDQ为3.3V;IS45S16800E的VDD和VDDQ为3.3V
  • LVTTL接口
  • 可编程突发长度:1、2、4、8、整页
  • 可编程突发序列:顺序/交错
  • 自动刷新(CBR)
  • 自刷新:每16 ms(A2级)或64 ms(A1级)进行4096次刷新周期
  • 每个时钟周期随机列地址
  • 可编程CAS延迟:2、3个时钟
  • 突发读写和突发读/单写操作能力
  • 通过突发停止和预充电命令终止突发
  • 汽车温度范围:选项A1为 -40°C至 +85°C;选项A2为 -40°C至 +105°C

数据手册PDF