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IS42S16320B-75ETLI

512Mb同步动态随机存取存储器

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品牌名称: ISSI(美国芯成)
商品型号: IS42S16320B-75ETLI
商品编号: C20491097
商品封装: 54-TSOP II
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)
	存储容量	512Mbit
	时钟频率(fc)	133MHz

	属性	参数值
	工作电压	3.3V
	功能特性	自动预充电；自动刷新；高速时钟同步；自动列地址生成
	工作温度	-40℃~+85℃

商品概述

ISSI的512Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM）采用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。该512Mb SDRAM内部配置为具有同步接口的四存储体DRAM，包含536,870,912位。每个134,217,728位的存储体组织为8,192行×1024列×16位，x8的每个134,217,728位存储体组织为8,192行×2048列×8位。它包括自动刷新模式和节能掉电模式，所有信号在时钟信号CLK的正沿进行寄存，所有输入和输出与LVTTL兼容。该SDRAM能够以高数据速率同步突发传输数据，具有自动列地址生成功能，可在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并能在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址。启用自动预充电功能时，在突发序列结束时会启动自定时行预充电。对一个存储体进行预充电的同时访问其他三个存储体之一，可隐藏预充电周期，实现无缝、高速、随机访问操作。SDRAM的读写访问是面向突发的，从选定位置开始，并按编程序列连续访问编程数量的位置。

商品特性

时钟频率：166、143、133 MHz
完全同步；所有信号参考正时钟沿
内部存储体用于隐藏行访问/预充电
电源：LVTTL接口
可编程突发长度 - （1、2、4、8、整页）
可编程突发序列：顺序/交错
自动刷新（CBR）
自刷新
每16ms（A2级）或64ms（商用、工业、A1级）进行8K刷新周期
每个时钟周期随机列地址
可编程CAS延迟（2、3个时钟）
突发读/写和突发读/单写操作能力
通过突发停止和预充电命令终止突发
有54引脚TSOP - II和54球W - BGA（仅x16）封装
工作温度范围：商用：0°C至+70°C；工业：-40°C至+85°C；汽车，A1：-40°C至+85°C；汽车，A2：-40°C至+105°C

数据手册PDF

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