2SK1829TE85LF
2SK1829TE85LF
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK1829TE85LF
- 商品编号
- C20490317
- 商品封装
- SOT-323(SC-70)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
TP65H070G4PS 650V、72mΩ氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)是一款常关型器件。它结合了先进的高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和低压硅MOSFET技术,具有卓越的可靠性和性能。 第四代超级GaN平台采用先进的外延和专利设计技术,简化了制造工艺,同时通过降低栅极电荷、输出电容、交越损耗和反向恢复电荷,提高了相对于硅器件的效率。
商品特性
- 第四代技术
- 符合JEDEC标准的GaN技术
- 动态导通电阻(RDS(on))有效量产测试
- 稳健设计,具体表现为
- 宽栅极安全裕量
- 瞬态过压能力
- 极低的反向恢复电荷(QRR)
- 降低的交越损耗
- 符合RoHS标准且无卤封装
应用领域
- 数据通信
- 广泛的工业应用
- 光伏逆变器
- 伺服电机
- 计算机领域
- 消费电子
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