商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 57A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.726nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的双P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1010B - 6（SOT1216）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 第三代碳化硅(SiC)MOSFET技术
- 采用独立驱动源极引脚的优化封装
- 漏极与源极之间的爬电距离为8mm
- 高阻断电压与低导通电阻
- 低电容的高速开关
- 具有低反向恢复电荷(Qrr)的快速本征二极管
- 无卤,符合RoHS标准
- 通过汽车级认证(AEC-Q101),具备生产件批准程序(PPAP)能力
应用领域
- 电机控制
- 电动汽车电池充电器
- 高压直流-直流(DC/DC)转换器
- ACC04E24-AJSW-025-LC
- FCQ38999/24WG41SEMIL-STD-461
- MKP1W031006F00KSSD
- ACC04A24-9SW-025-B30-LC
- FCQ38999/26GJ29PDMIL-STD-461
- FCQ38999/26JB54PDMIL-STD-461
- 204708-4
- FCQ38999/24GH53PEMIL-STD-461
- FCQ38999/24JH6BDMIL-STD-461
- FCQ38999/26KA35PAMIL-STD-461
- RN2311(TE85L,F)
- FCQ38999/26ZG16SBMIL-STD-461
- 2298509-1
- 2MM-HSD-S05-VT-02-H-TB
- TLHB-V88W-930-SS
- 1934226-1
- GTC02R20-7PZ-LC
- 9-1879265-4
- FCQ38999/20FC35SDMIL-STD-461
- GTC06LCF32-64PZ-025-B30-LC
- FCQ38999/21YJ46PBMIL-STD-461