- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
M25P40-VMN6PB
串行闪存嵌入式内存
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M25P40-VMN6PB
- 商品编号
- C20488309
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 75MHz | |
| 工作电压 | 2.3V~3.6V | |
| 待机电流 | 50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 800us | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品特性
- 兼容SPI总线的串行接口
- 4Mb闪存容量
- 最高75 MHz时钟频率
- 2.3V至3.6V单电源电压
- 页面编程（最多256字节），典型时间0.8ms
- 擦除功能
- 扇区擦除：512Kb，典型时间0.6 s
- 整片擦除：4Mb，典型时间4.5 s
- 写保护功能
- 硬件写保护：受保护区域大小由非易失性位BP0、BP1、BP2定义
- 深度掉电模式：典型电流1 μA
- 电子签名
- JEDEC标准2字节签名（2013h）
- 标识码，包含16字节只读空间，可按需提供
- RES命令，1字节签名（12h），用于向后兼容
- 每个扇区超过100,000次写周期
- 提供汽车级器件
- 封装（符合RoHS标准）
- SO8N（MN）150 mils
- SO8W（MW）208 mils
- VFDFPN8（MP）MLP8 6mm × 5mm
- UFDFPN8（MC）MLP8 4mm × 3mm
- UFDFPN8（MB）MLP8 2mm × 3mm
- TUHB-88W-930-Q(S)
- A/100-2W-O-4X
- GTC030LCF24-12SY-025-LC
- FCQ38999/24SF28PNMIL-STD-461
- FCQ38999/25NB2PBMIL-STD-461
- FCQ38999/26WH53SEMIL-STD-461
- FCQ38999/24KB99SNMIL-STD-461
- FCQ38999/24KE6SCMIL-STD-461
- TC6-03-PF
- FCQ38999/26GE35SEMIL-STD-461
- MB-V09-301-S(U)
- FCQ38999/26SE15SEMIL-STD-461
- 2345390-2
- ACC02E32-13SZ-003-LC
- FCQ38999/20TG11PNMIL-STD-461
- FCQ38999/26WH53PBMIL-STD-461
- 9-1616260-7
- TMA-4MS-5FS-00
- FCQ38999/26GD18PNMIL-STD-461
- FCQ38999/27YC13PBMIL-STD-461
- TSD-1801