M68AW128ML70ZB6
2Mbit异步SRAM
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M68AW128ML70ZB6
- 商品编号
- C20486597
- 商品封装
- 48-TFBGA (7x12)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 15mA | |
| 待机电流 | 1uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
M68AW128M是一款2 Mbit(2097152位)CMOS静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为131072字×16位。该器件采用全静态操作,无需外部时钟或定时选通信号,地址访问时间和周期时间相等。它需要单一2.7至3.6V电源供电。该器件具有自动掉电功能,在未被选中时可将功耗降低超过99。M68AW128M提供TFBGA48(0.75mm间距)和TSOP44 Type II封装。
商品特性
- 电源电压:2.7至3.6V
- 128K×16位SRAM,带输出使能
- 相等的周期时间和访问时间:55ns
- 低待机电流
- 低Vcc数据保持电压:1.0V
- 三态公共输入/输出
- 自动掉电功能
- 全静态操作,无需外部时钟或定时选通信号
- 芯片使能掉电特性,当芯片使能被取消断言(E=高)或LB和UB被取消断言(LB和UB=高)时,自动进入待机模式
- 输出使能(G)信号提供高速三态控制,允许通过公共I/O数据总线实现快速读写周期
- FCQ38999/20SD98SDMIL-STD-461
- FCQ38999/24MC4ADMIL-STD-461
- FCQ38999/26JH6SEMIL-STD-461
- FKP1O111504B00KD00
- FCQ38999/26KD5BBMIL-STD-461
- 1N5923B3P-AP
- FCQ38999/26SF28SBMIL-STD-461
- FCQ38999/26JD97SNMIL-STD-461
- XB-09-312-S(S)
- ACC08CF32-1S-003-B30-LC
- GTC06A28-16S-025-LC
- FCQ38999/20JG41JNMIL-STD-461
- FCQ38999/24WH55PEMIL-STD-461
- GTCL030A28-6SZ-023-LC
- FCQ38999/26JH55SCMIL-STD-461
- MUR860H
- FCQ38999/20ZB35SCMIL-STD-461
- FCQ38999/26JE6HNMIL-STD-461
- GTC030CFZ24-28S-025-LC
- 70T3519S133DRI
- GTC08R18-22S-LC


