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M68AW128ML70ZB6引脚图
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M68AW128ML70ZB6

2Mbit异步SRAM

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商品型号
M68AW128ML70ZB6
商品编号
C20486597
商品封装
48-TFBGA (7x12)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量2Mbit
工作电压2.7V~3.6V
读写时间55ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流15mA
待机电流1uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

M68AW128M是一款2 Mbit(2097152位)CMOS静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为131072字×16位。该器件采用全静态操作,无需外部时钟或定时选通信号,地址访问时间和周期时间相等。它需要单一2.7至3.6V电源供电。该器件具有自动掉电功能,在未被选中时可将功耗降低超过99。M68AW128M提供TFBGA48(0.75mm间距)和TSOP44 Type II封装。

商品特性

  • 电源电压:2.7至3.6V
  • 128K×16位SRAM,带输出使能
  • 相等的周期时间和访问时间:55ns
  • 低待机电流
  • 低Vcc数据保持电压:1.0V
  • 三态公共输入/输出
  • 自动掉电功能
  • 全静态操作,无需外部时钟或定时选通信号
  • 芯片使能掉电特性,当芯片使能被取消断言(E=高)或LB和UB被取消断言(LB和UB=高)时,自动进入待机模式
  • 输出使能(G)信号提供高速三态控制,允许通过公共I/O数据总线实现快速读写周期

数据手册PDF