TP65H070G4LSGB-TR

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品牌名称: Transphorm
商品型号: TP65H070G4LSGB-TR
商品编号: C20484195
商品封装: PQFN-8(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

TP65H070G4LSGB 650V、72mΩ氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)是一款常关型器件。它结合了先进的高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和低压硅MOSFET技术,具有卓越的可靠性和性能。第四代超级GaN平台采用先进的外延和专利设计技术,简化了制造工艺,同时通过降低栅极电荷、输出电容、交越损耗和反向恢复电荷,提高了相对于硅器件的效率。

商品特性

第四代技术
符合JEDEC标准的GaN技术
动态RDS(on)eff生产测试
稳健设计,体现在
- 宽栅极安全裕量
- 瞬态过压能力
极低的反向恢复电荷(QRR)
降低的交越损耗
符合RoHS标准且无卤封装

应用领域

-数据通信-广泛的工业应用-光伏逆变器-伺服电机-消费电子-计算机

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	29A
	导通电阻(RDS(on))	72mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	96W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	8.4nC
	输入电容(Ciss)	600pF
	反向传输电容(Crss)	2pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	74pF
	栅极电压(Vgs)	±20V