IS61NLF12836A-7.5TQI

4兆的“NLF/NVF”产品系列具有高速、低功耗同步静态随机存取存储器（SRAM）的特点，专为网络和通信应用提供可突发、高性能、“无等待”状态的设备。它们采用ISSI先进的CMOS技术制造，组织形式为128K字×36位和256K字×18位。该设备具有“无等待”状态特性，当总线从读切换到写或从写切换到读时，消除了等待周期。它将一个2位突发计数器、高速SRAM核心和高驱动能力输出集成到一个单芯片电路中。所有同步输入通过寄存器，由一个正边沿触发的单时钟输入控制。当时钟使能信号CKE（上划线）为高电平时，操作可以暂停，所有同步输入被忽略，此时内部设备将保持其先前的值。所有读、写和取消选择周期由ADV输入启动。当ADV为高电平时，内部突发计数器递增；当ADV为低电平时，可以加载新的外部地址。写周期由时钟输入的上升沿和写使能信号WE（上划线）为低电平时内部自定时启动。单独的字节使能允许写入单个字节。一个突发模式引脚（MODE）定义了突发序列的顺序。当MODE接高电平时，选择交错突发序列；当MODE接低电平时，选择线性突发序列。

• 100%总线利用率
• 读写之间无等待周期
• 内部自定时写周期
• 单独字节写控制
• 单读写控制引脚
• 时钟控制、寄存地址、数据和控制
• 使用MODE输入进行交错或线性突发序列控制
• 三个芯片使能用于简单的深度扩展和地址流水线
• 掉电模式
• 公共数据输入和数据输出
• CKE引脚用于使能时钟和暂停操作
• JEDEC 100引脚TQFP、119球PBGA和165球PBGA封装
• 电源：NVF：VDD 2.5V (±5%)，VDDQ 2.5V (±5%)；NLF：VDD 3.3V (±5%)，VDDQ 3.3V / 2.5V (±5%)
• 有工业温度范围可选
• 有无铅版本可选

• 网络
• 通信