IS43R83200B-5TL-TR
256Mb DDR同步动态随机存取存储器
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- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS43R83200B-5TL-TR
- 商品编号
- C20476462
- 商品封装
- 66-TSOP II
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 200MHz | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 工作电压 | 2.3V~2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 185mA | |
| 刷新电流 | 5mA | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 功能特性 | 自动预充电功能 |
商品概述
IS43/46R83200B 是一款 4 存储体 x 8,388,608 字 x 8 位的双倍数据速率同步 DRAM，IS43/46R16160B 是一款 4 存储体 x 4,194,304 字 x 16 位的双倍数据速率同步 DRAM，采用 SSTL_2 接口。所有控制和地址信号均参考 CLK 的上升沿。输入数据在数据选通信号的两个边沿进行寄存，输出数据和数据选通信号参考 CLK 的两个边沿。该器件可实现高达 200 MHz 的高速时钟速率。
商品特性
- VDD = VDDQ = 2.5V ± 0.2V (-5, -6, -75)
- 双倍数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输
- 双向数据选通（DQS）与数据一起发送/接收
- 差分时钟输入（CLK 和 /CLK）
- DLL 使 DQ 和 DQS 转换与 CLK 转换的 DQS 边沿对齐
- 在每个正 CLK 边沿输入命令；数据和数据掩码参考 DQS 的两个边沿
- 4 存储体操作由 BA0、BA1（存储体地址）控制
- /CAS 延迟 -2.0 / 2.5 / 3.0（可编程）；突发长度 -2 / 4 / 8（可编程）；突发类型 - 顺序/交错（可编程）
- 自动预充电/所有存储体预充电由 A10 控制
- 每 64ms 进行 8192 次刷新周期（4 个存储体同时刷新）
- 自动刷新和自刷新
- 行地址 A0 - 12 / 列地址 A0 - 9(x8)/A0 - 8(x16)
- SSTL_2 接口
- 封装：66 引脚 TSOP II（x8 和 x16）；60 球 TF - BGA（仅 x16）
- 温度范围：商用 (0°C 至 +70°C)；工业用 (-40°C 至 +85°C)；汽车用 (-40°C 至 +85°C)