LTN/GTVA126001EC-V1

GTVA126001EC和GTVA126001FC是用于直流至1400 MHz频段的600 W碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）。它们具有输入匹配、高效率和散热增强型封装的特点。

• 碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管技术，输入匹配
• 典型脉冲连续波性能（AB类），1200 MHz，50 V，300 μs脉冲宽度，10%占空比
• 输出功率P₃dB = 600 W
• 漏极效率 = 65%
• 增益 = 18 dB
• 能够在脉冲条件下（300 μs脉冲宽度，10%占空比，VDD = 50 V，IDQ = 100 mA）承受600 W峰值功率下10:1的负载失配（所有相位角）
• 人体模型1C类（符合ANSI/ESDA/JEDEC JS - 001）
• 无铅且符合RoHS标准