U6264BS2K07LLG1TR
8K x 8 SRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- U6264BS2K07LLG1TR
- 商品编号
- C20473233
- 商品封装
- 28-SOP
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 55mA | |
| 待机电流 | 2uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
U6264B是一款采用CMOS工艺技术制造的静态随机存取存储器（SRAM），具有以下工作模式：
- 读取 - 待机
- 写入 - 数据保留
存储阵列基于6晶体管单元。
电路通过E2的上升沿（当E1（上划线） = L时）或E1（上划线）的下降沿（当E2 = H时）激活。地址和控制输入同时打开。根据W（上划线）和G（上划线）的信息，数据输入或输出处于激活状态。在读取周期中，数据输出由G（上划线）的下降沿激活，之后读取的数据字将在输出DQ0 - DQ7上可用。地址更改后，数据输出进入高阻态，直到新的读取信息可用。数据输出没有优先状态。如果存储器在激活状态下由CMOS电平驱动，并且地址、数据输入和控制信号W（上划线）或G（上划线）没有变化，则工作电流（当IO = 0 mA时）降至待机模式下的工作电流值。读取周期分别由E2或W（上划线）的下降沿，或E1（上划线）的上升沿结束。
数据保留可低至2 V。除E2外，所有输入均由或非门组成，因此不需要上拉/下拉电阻。这种门电路也允许通过TTL电平激活来实现低功耗待机要求。
如果电路通过E2 = L失活，待机电流（TTL）典型值降至150 μA。
商品特性
- 8192 x 8位静态CMOS随机存取存储器
- 70 ns访问时间
- 公共数据输入和输出
- 三态输出
- 典型工作电源电流70 ns时为10 mA
- 待机电流：Ta ≤ 70 °C时 < 2 μA
- 2 V时的数据保留电流：Ta ≤ 70 °C时 < 1 μA
- TTL/CMOS兼容
- 在长读取或写入周期中自动降低功耗
- 电源电压5 V
- 工作温度范围：0至70 °C、 - 40至85 °C、 - 40至125 °C
- QS 9000质量标准
- ESD保护 > 2000 V（MIL STD 883C M3015.7）
- 闩锁免疫 > 100 mA
- 封装：PDIP28（600 mil）、SOP28（330 mil）