- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CAB400M12XM3
碳化硅半桥模块，高功率密度，低电感设计，采用第三代SiC MOSFET技术
- 品牌名称
- WOLFSPEED
- 商品型号
- CAB400M12XM3
- 商品编号
- C20468180
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 405A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.24kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 844nC | |
| 输入电容(Ciss) | 24.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品概述
CGHV1J006D是一款采用碳化硅衬底的高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），采用0.25μm栅长制造工艺。这款碳化硅基氮化镓产品具备卓越的高频、高效特性。它适用于各种工作频率在10 MHz至18 GHz、工作电压为40 V且需要高击穿电压的应用场景。
商品特性
- 高功率密度封装
- 高结温(175 °C)工作
- 低电感(6.7 nH)设计
- 采用第三代碳化硅MOSFET技术
- 氮化硅绝缘体和铜基板
- 1200 V漏源电压
- 端子布局允许直接连接母线排,无需弯曲或套管,实现简单、低电感设计。
- 隔离式集成温度传感实现高级温度保护。
- 专用高端开尔文漏极引脚可直接进行电压传感,用于栅极驱动器过流保护。
应用领域
-电机与运动控制-车辆快速充电器-不间断电源-智能电网/并网分布式发电-牵引驱动器-电动出行
- HDB-D4-120M036X
- FCQ38999/21YH6PEMIL-STD-461
- FCQ38999/24WJ90SDMIL-STD-461
- FCQ38999/26MG16SAMIL-STD-461
- GRM0225C1E8R8BDAEL
- 1926044-1
- FCQ38999/27NB35PDMIL-STD-461
- MKS4S031005G00MSSD
- FCQ38999/26ZE2ANMIL-STD-461
- FCQ38999/26ZJ35JNMIL-STD-461
- FCQ38999/26TJ8BCMIL-STD-461
- PM-R-LCD
- GTC00-32-19S-LC
- VI-231-EW
- 103ET-2
- 1-1879056-7
- GTC02R20-24PZ-B30-LC
- ACC00CF32-1RZ-003-LC
- ACC03A32-76P-003-B30-LC
- FCQ38999/26LD18PAMIL-STD-461
- 05058970