CAB400M12XM3

CGHV1J006D是一款采用碳化硅衬底的高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），采用0.25μm栅长制造工艺。这款碳化硅基氮化镓产品具备卓越的高频、高效特性。它适用于各种工作频率在10 MHz至18 GHz、工作电压为40 V且需要高击穿电压的应用场景。

• 高功率密度封装
• 高结温(175 °C)工作
• 低电感(6.7 nH)设计
• 采用第三代碳化硅MOSFET技术
• 氮化硅绝缘体和铜基板
• 1200 V漏源电压
• 端子布局允许直接连接母线排,无需弯曲或套管,实现简单、低电感设计。
• 隔离式集成温度传感实现高级温度保护。
• 专用高端开尔文漏极引脚可直接进行电压传感,用于栅极驱动器过流保护。

-电机与运动控制-车辆快速充电器-不间断电源-智能电网/并网分布式发电-牵引驱动器-电动出行