AT25QL641-SHE-T
SPI串行闪存,支持双I/O、四I/O、QPI
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- AT25QL641-SHE-T
- 商品编号
- C20466300
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
商品特性
- 单1.7V - 2.0V电源
- 64兆位(8 x 8兆位)闪存
- 兼容串行外设接口(SPI)和四方外设接口(QPI),支持SPI模式0和3,支持双输出读取以及四方I/O编程和读取,支持QPI编程和读取,最高工作频率133MHz
- 时钟到输出(tV1)为6纳秒
- 高达66MB/s的连续数据传输速率
- 四方启用(工厂默认设置:见第7.7节),全芯片擦除
- 针对代码和数据存储应用的灵活、优化的擦除架构
- 典型页面编程(256字节)时间为0.6毫秒
- 典型4千字节块擦除时间为60毫秒
- 典型32千字节块擦除时间为200毫秒
- 典型64千字节块擦除时间为350毫秒
- 通过WP(上划线)引脚对状态寄存器进行硬件控制锁定
- 4千位安全一次性可编程(OTP)安全寄存器
- 硬件写保护
- 串行闪存可发现参数(SFDP)寄存器
- 灵活编程,包括字节/页面编程(1至256字节)、双输入或四方输入字节/页面编程(1至256字节)
- 擦除/编程暂停和恢复
- JEDEC标准制造商和设备ID读取方法
- 低功耗,典型深度掉电(DPD)电流为2微安,典型待机电流为10微安,典型主动读取电流为5毫安
- 耐用性:100,000次编程/擦除周期(4千字节、32千字节或64千字节块),数据保留时间20年
- 工业温度范围:-40°C至+85°C
- 行业标准绿色(无铅/无卤化物/符合RoHS标准)封装选项,包括8焊盘DFN(6 x 5 x 0.6毫米)、8引脚208密耳SOIC、8球WLCSP
- GTC06-32-8S-025-B30-LC
- ACC08R16S-5PZ-025-B30-LC
- FCQ38999/20WJ61SDMIL-STD-461
- FCQ38999/24MB5SEMIL-STD-461
- GTCL030-16S-8PX-LC
- FCQ38999/27YF28PBMIL-STD-461
- T510E108K004AS
- FCQ38999/26GG75SDMIL-STD-461
- GTCL00A28-21SW-B30-LC
- FCQ38999/24SJ20PAMIL-STD-461
- FCQ38999/20JD4BAMIL-STD-461
- FCQ38999/24KH21JNMIL-STD-461
- FCQ38999/26MJ90PDMIL-STD-461
- FCX2S02400020I1X
- FCQ38999/26FB35JNMIL-STD-461
- SMA-A0207FTDT39K
- FCQ38999/26FG16PDMIL-STD-461
- 6355-0034-01
- FCQ38999/26LE2SDMIL-STD-461
- FCQ38999/24SC98SNMIL-STD-461
- FCQ38999/24MJ19SEMIL-STD-461

