IS42VS16100C1-10TL-TR
512K Words x 16 Bits x 2 Banks同步动态随机存取存储器
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- 描述
- 16Mb Synchronous DRAM，512K Words x 16 Bits x 2 Banks。完全同步，所有信号参考正时钟沿。两个bank可以同时独立操作。支持可编程突发长度 (1, 2, 4, 8, 全页) 和可编程 CAS 延迟 (2, 3 个时钟周期)。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS42VS16100C1-10TL-TR
- 商品编号
- C20457205
- 商品封装
- 50-TSOP II
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 100MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.7V~1.9V | |
| 功能特性 | 自动预充电；自动刷新；高速时钟同步 | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
ISSI的16Mb同步DRAM IS42VS16100C1被组织为524,288字x 16位x 2存储体，以提高性能。同步DRAM采用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。
商品特性
- 时钟频率：100MHz
- 完全同步；所有信号参考正时钟沿
- 两个存储体可以同时且独立运行
- 由A11（存储体选择）控制双内部存储体
- 单1.8V电源
- LVTTL接口
- 可编程突发长度 - （1、2、4、8、整页）
- 可编程突发序列：顺序/交错
- 每32ms进行2048次刷新周期
- 每个时钟周期随机列地址
- 可编程CAS（上划线）延迟（2、3个时钟）
- 具备突发读/写和突发读/单写操作能力
- 通过突发停止和预充电命令终止突发
- 由LDQM和UDQM控制字节
- 封装为400密耳50引脚TSOP II
- 有无铅封装选项
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