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MT48H8M32LFF5-10 IT TR引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT48H8M32LFF5-10 IT TR

256Mb x32移动SDRAM

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描述
Micron 256Mb 移动 SDRAM 是一款高速 CMOS 动态随机访问存储器,内部配置为四bank DRAM,具有同步接口。每个 67,108,864 位的bank组织为 4,096 行 x 512 列 x 32 位。读写访问以编程的序列和位置开始,支持可编程的读写突发长度。该 SDRAM 支持 3.3V、2.5V 和 1.8V 的低功耗系统,提供自动刷新模式和节能的深度掉电模式。所有输入和输出均为 LVTTL 兼容。
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT48H8M32LFF5-10 IT TR
商品编号
C20456962
商品封装
90-VFBGA (8x13)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录同步动态随机存取内存(SDRAM)
属性参数值
功能特性自动预充电;自动刷新;高速时钟同步;自动列地址生成

商品概述

美光256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器,包含268,435,456位。它内部配置为具有同步接口的四体DRAM(所有信号在时钟信号CLK的上升沿进行寄存)。每个67,108,864位的存储体被组织为4,096行×512列×32位。

商品特性

  • 低电压电源
  • 部分阵列自刷新节能模式
  • 温度补偿自刷新(TCSR)
  • 深度掉电模式
  • 可编程输出驱动强度
  • 完全同步;所有信号在系统时钟的上升沿寄存
  • 内部流水线操作;列地址可以在每个时钟周期更改
  • 内部存储体用于隐藏行访问/预充电
  • 可编程突发长度:1、2、4、8或整页
  • 自动预充电,包括并发自动预充电和自动刷新模式
  • 自刷新模式;标准和低功耗
  • 64ms,4096周期刷新
  • LVTTL兼容输入和输出
  • 商业和工业温度范围
  • 支持1、2、3的CAS延迟

数据手册PDF