MT48H8M32LFF5-10 IT TR
256Mb x32移动SDRAM
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- 描述
- Micron 256Mb 移动 SDRAM 是一款高速 CMOS 动态随机访问存储器,内部配置为四bank DRAM,具有同步接口。每个 67,108,864 位的bank组织为 4,096 行 x 512 列 x 32 位。读写访问以编程的序列和位置开始,支持可编程的读写突发长度。该 SDRAM 支持 3.3V、2.5V 和 1.8V 的低功耗系统,提供自动刷新模式和节能的深度掉电模式。所有输入和输出均为 LVTTL 兼容。
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT48H8M32LFF5-10 IT TR
- 商品编号
- C20456962
- 商品封装
- 90-VFBGA (8x13)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动预充电;自动刷新;高速时钟同步;自动列地址生成 |
商品概述
美光256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器,包含268,435,456位。它内部配置为具有同步接口的四体DRAM(所有信号在时钟信号CLK的上升沿进行寄存)。每个67,108,864位的存储体被组织为4,096行×512列×32位。
商品特性
- 低电压电源
- 部分阵列自刷新节能模式
- 温度补偿自刷新(TCSR)
- 深度掉电模式
- 可编程输出驱动强度
- 完全同步;所有信号在系统时钟的上升沿寄存
- 内部流水线操作;列地址可以在每个时钟周期更改
- 内部存储体用于隐藏行访问/预充电
- 可编程突发长度:1、2、4、8或整页
- 自动预充电,包括并发自动预充电和自动刷新模式
- 自刷新模式;标准和低功耗
- 64ms,4096周期刷新
- LVTTL兼容输入和输出
- 商业和工业温度范围
- 支持1、2、3的CAS延迟
- MT48LC8M32LFF5-10 IT
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