MT53E1536M32D4DE-046 WT:B
LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E1536M32D4DE-046 WT:B
- 商品编号
- C20452472
- 商品封装
- 200-TFBGA (10x14.5)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 48Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.06V~1.17V | |
| 功能特性 | 自动预充电;自动刷新;高速时钟同步 | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ |
商品特性
- 超低电压内核和输入/输出电源
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V;标称1.80 V
- VDD2 = 1.06 - 1.17 V;标称1.10 V
- VDDQ = 1.06 - 1.17 V;标称1.10 V,或低VDDQ = 0.57 - 0.65 V;标称0.60 V
- 频率范围:2133-10兆赫兹(数据速率范围:4266-20兆比特每秒/引脚)
- 16n预取双倍数据率架构
- 每个通道8个内部存储体,用于并发操作
- 单数据率命令/地址输入
- 每个字节通道双向/差分数据选通
- 可编程读取和写入延迟
- 可编程及动态突发长度(16, 32)
- 定向每存储体刷新,便于并发存储体操作和命令调度
- 每芯片最高8.5吉字节每秒
- 片上温度传感器,用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 时钟停止能力
- 符合有害物质限制指令的环保封装
- 可编程接地端接
- 支持单端时钟和数据选通
- MT53E2G32D4DE-046 AIT:A TR
- MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C TR
- MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR
- MT53E2G32D4DE-046 WT:A TR
- MT53E2G32D4DE-046 WT:C TR
- MT53E256M16D1FW-046 AAT:B TR
- MT53E2G32D4DE-046 AAT:A TR
- MT42L128M32D2MH-25 IT:A
- MT48LC4M16A2B4-7E:J TR
- MT48LC4M16A2B4-6A IT:J TR
- MT41K512M8RG-093:N
- MT41K512M8RG-107:N
- MT48H4M16LFB4-8:H
- MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR
- MT48H8M16LFB4-6 IT:K TR
- MT48LC8M16LFF4-8:G TR
- MT48LC16M16A2B4-7E IT:G
- MT48H4M16LFF4-10 TR
- MT48H8M16LFB4-75 IT:K
- MT48V8M16LFB4-8 IT:G
- MT48H8M16LFB4-6 IT:K
- MT53E2G32D4DE-046 AIT:A TR
- FCQ38999/20KD18HNMIL-STD-461
- GTC030CFZ32-13SW-RDS-LC
- GTC030-32-15P-025-B30-LC
- 1SNK806013R0000
- GTC00R28-11SX-LC
- A/AN-RS-A16-C6
- FCQ38999/24SJ8ADMIL-STD-461
- FCQ38999/24FG11SDMIL-STD-461
- HDP24-24-16PN-L017
- FCQ38999/24GE99SCMIL-STD-461
- 3-2378762-3
- GTC02R32-68PX-023-B30-LC
- FCQ38999/20MD19SEMIL-STD-461
- CL32A106MAILNNE
- FCQ38999/20WC8BAMIL-STD-461
- FCQ38999/26JJ4ANMIL-STD-461
- GTC00AF32-6PY-B30-LC
- GTC030-32-15SZ-025-LC
- BL-HGEUB36F-TRB
- GTC08CFZ18-22S-B30-LC

