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MT48LC4M16A2TG-75 L:G TR

64Mb x4、x8、x16 SDRAM

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT48LC4M16A2TG-75 L:G TR
商品编号: C20449973
商品封装: 54-TSOP II
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)
	存储容量	64Mbit
	时钟频率(fc)	133MHz

	属性	参数值
	工作电压	3V~3.6V
	功能特性	自动预充电；自动刷新；高速时钟同步；自动列地址生成
	工作温度	0℃~+70℃

商品概述

美光64Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，包含67,108,864位。它内部配置为具有同步接口的四体DRAM（所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存）。x4的每个16,777,216位存储体组织为4,096行×1,024列×4位。x8的每个16,777,216位存储体组织为4,096行×512列×8位。x16的每个16,777,216位存储体组织为4,096行×256列×16位。对SDRAM的读写访问是突发式的；访问从选定位置开始，并按编程顺序继续访问编程数量的位置。访问从ACTIVE命令的寄存开始，随后是READ或WRITE命令。与ACTIVE命令同时寄存的地址位用于选择要访问的存储体和行（BA0、BA1选择存储体；A0 - A11选择行）。与READ或WRITE命令同时寄存的地址位用于选择突发访问的起始列位置。SDRAM提供可编程的读或写突发长度，为1、2、4、8个位置或整页，并具有突发终止选项。可以启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自定时行预充电。64Mb SDRAM采用内部流水线架构来实现高速操作。该架构与预取架构的2n规则兼容，但它也允许在每个时钟周期更改列地址，以实现高速、完全随机访问。在访问其他三个存储体之一时对一个存储体进行预充电将隐藏预充电周期，并提供无缝、高速、随机访问操作。64Mb SDRAM设计用于3.3V内存系统。提供自动刷新模式以及节能、掉电模式。所有输入和输出均与LVTTL兼容。SDRAM在DRAM操作性能方面有显著提升，包括能够以高数据速率同步突发数据并自动生成列地址、能够在内部存储体之间进行交错以隐藏预充电时间，以及能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址。

商品特性

符合PC66、PC100和PC133标准
完全同步；所有信号在系统时钟的上升沿寄存
内部流水线操作；列地址可以在每个时钟周期更改
内部存储体用于隐藏行访问/预充电
可编程突发长度：1、2、4、8或整页
自动预充电，包括并发自动预充电和自动刷新模式
自刷新模式：标准模式和低功耗模式
64ms，4096周期刷新
LVTTL兼容的输入和输出
单+3.3V ±0.3V电源

数据手册PDF

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