MT48LC64M8A2TG-75 L:C
512Mb x4,x8,x16 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT48LC64M8A2TG-75 L:C
- 商品编号
- C20448802
- 商品封装
- 54-TSOP II
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 3V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动预充电;自动刷新;高速时钟同步 | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 110mA | |
| 刷新电流 | 3mA |
商品概述
512Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器,包含536,870,912位。它内部配置为具有同步接口的四体DRAM(所有信号在时钟信号CLK的上升沿进行寄存)。x4的每个134,217,728位存储体被组织为8192行×4096列×4位。x8的每个134,217,728位存储体被组织为8192行×2048列×8位。x16的每个134,217,728位存储体被组织为8192行×1024列×16位。对SDRAM的读写访问是突发式的;访问从选定位置开始,并按照编程的顺序在编程的位置数量上继续。访问从ACTIVE命令的寄存开始,随后是READ或WRITE命令。与ACTIVE命令同时寄存的地址位用于选择要访问的存储体和行(BA[1:0]选择存储体;A[12:0]选择行)。与READ或WRITE命令同时寄存的地址位用于选择起始地址。
商品特性
- 符合PC100和PC133标准
- 完全同步;所有信号在系统时钟的上升沿进行寄存
- 内部流水线操作;列地址可以在每个时钟周期改变
- 内部存储体用于隐藏行访问/预充电
- 可编程突发长度:1、2、4、8或整页
- 自动预充电,包括并发自动预充电和自动刷新模式
- 自刷新模式
- 自动刷新
- 64ms,8192周期刷新(商业和工业级)
- LVTTL兼容的输入和输出
- 单3.3V ± 0.3V电源供电
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