AS4C4M32S-7TCN
4Mx32bit同步动态随机存储器
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- AS4C4M32S-7TCN
- 商品编号
- C20445420
- 商品封装
- 86-TSOP II
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 143MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 功能特性 | 自动预充电;自动刷新;高速时钟同步 | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
AS4C4M32S SDRAM是一款高速CMOS同步DRAM,容量为128 Mbits。它内部配置为四个1M x 32的DRAM,具有同步接口(所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存)。每个1M x 32位的存储体由4096行、256列和32位组成。对SDRAM的读写访问是突发式的;访问从选定位置开始,并按编程顺序连续访问编程数量的位置。访问从BankActivate命令的寄存开始,随后是读或写命令。AS4C4M32S提供可编程的读或写突发长度,可选1、2、4、8或整页,并有突发终止选项。可启用自动预充电功能,在突发序列结束时启动自定时行预充电。刷新功能(自动或自刷新)易于使用。通过可编程模式寄存器,系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些器件非常适合需要高内存带宽的应用。
商品特性
- 时钟频率:143 / 166 MHz
- 全同步操作
- 内部流水线架构
- 1M字 x 32位 x 4存储体
- 可编程模式
- CAS延迟:2或3
- 突发长度:1、2、4、8或整页
- 突发类型:顺序和交错
- 突发读-单写
- 突发停止功能
- 由DQM0 - 3控制单个字节
- 工作温度范围:商业级(0 ~ 70°C),工业级(-40 ~ 85°C)
- 自动刷新和自刷新,4096次刷新周期/64ms
- 单3.3V电源供电
- 接口:LVTTL
- 86引脚400密耳塑料TSOP II封装,无铅无卤
应用领域
- 高内存带宽应用
- MT40A512M16LY-062E AIT:E TR
- MT40A512M16TB-062E:J TR
- MT40A1G16KNR-062E:E TR
- MT48LC4M32B2TG-6A IT:L
- AS4C2M32S-5TCNTR
- MT40A512M16LY-062E AIT:E
- MT48LC8M32B2P-6 TR
- AS4C2M32S-6TINTR
- MT48LC2M32B2P-7:G
- MT40A512M16LY-062E AUT:E
- MT41K256M16LY-093:N
- MT48LC8M16A2P-6A AIT:L
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- MT48LC8M8A2TG-7E L:G TR
- MT48LC16M8A2TG-75 IT:G
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- MT48LC64M8A2TG-75 IT:C
- MT48LC8M16A2P-7E IT:G
- MT48LC32M8A2P-75 IT:D TR
- MT40A512M16LY-062E AIT:E TR
- A/DLP-040-W-U-N-B-0-A-0P-S
- A/RH3-1.8K-R
- A/RH3-20K-O
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- A/DLP-D10-W-B-D-A-3-A-0P-S
- ACC06AF32-16P-003-LC
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- FCQ38999/24TJ29PCMIL-STD-461
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- 5-1879063-6
- 0603SFF300F/32-2
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- 7C1N03
- CDRH74-180MC
