RMLV0816BGSD-4S2#HC0
8Mb Advanced LPSRAM
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RMLV0816BGSD-4S2#HC0
- 商品编号
- C20444925
- 商品封装
- 52-TSOP II
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 2.4V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 55ns；45ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 450nA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
RMLV0816BGSD是一系列8兆位静态随机存取存储器，组织形式为524,288字×16位，采用瑞萨高性能的先进低功耗静态随机存取存储器（Advanced LPSRAM）技术制造。RMLV0816BGSD实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。它具有低功耗待机功耗，因此适用于电池备份系统。该产品采用52引脚μTSOP（II）封装。
商品特性
- 单3V电源：2.4V至3.6V
- 访问时间：
- 电源电压从2.7V至3.6V：最大45ns
- 电源电压从2.4V至2.7V：最大55ns
- 电流消耗：
- 待机：典型值0.45μA
- 访问时间和周期时间相等
- 数据输入和输出共用
- 三态输出
- 直接与TTL兼容：所有输入和输出
- 电池备份操作