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70P3519S166BCGI

高速1.8V 256/128K x 36双端口同步静态随机存取存储器

品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 70P3519S166BCGI
商品编号: C20442206
商品封装: 256-CABGA (17x17)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

IDT70P3519/99是一款高速256/128K x 36位同步双端口RAM。内存阵列采用双端口存储单元，允许从两个端口同时访问任何地址。控制、数据和地址输入上的寄存器提供了最小的建立和保持时间。这种方法提供的时序余量允许系统设计具有非常短的周期时间。通过输入数据寄存器，IDT70P3519/99针对具有单向或突发双向数据流的应用进行了优化。由CE0（上划线）和CE1控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。70P3519/99可以在一个或两个端口上支持3.3V、2.5V或1.8V的工作电压。设备核心（VDD）的电源为1.8V。

商品特性

真正的双端口存储单元，允许同时访问同一内存位置
低功耗
高速数据访问
商用：3.4ns（200MHz）/3.6ns（166MHz）
工业用：3.6ns（166MHz）
可选的流水线或直通输出模式
双芯片使能允许在无需额外逻辑的情况下进行深度扩展
两个端口均为全同步操作
5ns周期时间，200MHz操作（14Gbps带宽）
从时钟到数据输出的快速3.4ns
在200MHz下，所有控制、数据和地址输入的建立时间为1.5ns，保持时间为0.5ns
数据输入、地址、字节使能和控制寄存器
自定时写入允许快速周期时间
计数器使能和重复功能
中断和冲突检测标志
用于复用总线和总线匹配兼容性的独立字节控制
流水线输出模式的双周期取消选择（DCD）
核心采用1.8V（±100mV）电源
LVTTL兼容，每个端口的I/O和控制信号采用1.8V至3.3V电源
工业温度范围（-40°C至+85°C）在166MHz下可用
提供256引脚球栅阵列（BGA）和208引脚细间距球栅阵列（fpBGA）封装
支持符合IEEE 1149.1的JTAG功能
提供环保部件，详见订购信息

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	9Mbit
	工作电压	1.7V~1.9V
	读写时间	3.6ns

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	325mA
	待机电流	60mA
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能