STN1NF10
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 105pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 高功率密度封装
- 高结温（175 °C）工作
- 低电感（6.7 nH）设计
- 采用第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术
- 氮化硅绝缘体和铜基板
应用领域
- 电机与牵引驱动器-车辆快速充电器-不间断电源-智能电网/并网分布式发电
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