Name: RENESAS(瑞萨)/IDT AT25DF021A-UUNHR-T
Brand: RENESAS(瑞萨)/IDT
SKU: C20438123
Price: 5.87 CNY
Availability: OutOfStock

单1.65 V - 3.6 V电源（-40°C至 +85°C）
单1.7 V - 3.6 V电源（-40°C至 +125°C）
串行外设接口（SPI）兼容，支持SPI模式0和3，支持双I/O操作
最高104 MHz工作频率
时钟到输出（tV）为6 ns
适用于代码+数据存储应用的灵活、优化擦除架构
小（256字节）页擦除，统一4千字节块擦除，统一32千字节块擦除，统一64千字节块擦除，全芯片擦除
通过WP引脚对受保护扇区进行硬件控制锁定，128字节可编程一次性可编程（OTP）安全寄存器
64字节工厂编程有唯一标识符，64字节用户可编程
灵活编程，包括字节/页编程（1至256字节）、双输入字节/页编程（1至256字节）、顺序编程模式能力
快速编程和擦除时间，256字节典型页编程时间为1.25 ms，4千字节块典型擦除时间为40 ms，32千字节块典型擦除时间为250 ms，64千字节块典型擦除时间为500 ms
自动检查和报告擦除/编程失败
软件控制复位，符合JEDEC标准的制造商和设备ID读取方法
低功耗，典型超深掉电电流为200 nA，典型深掉电电流为4.5 μA，典型待机电流为25 μA，典型有源读取电流为4.5 mA
耐久性：-40°C至 +85°C时为100,000次编程/擦除循环，-40°C至 +125°C时为20,000次编程/擦除循环
数据保留时间：20年
符合全工业温度范围
行业标准绿色（无铅/无卤化物/符合RoHS）封装选项，包括8引脚SOIC（150密耳）、8焊盘超薄DFN（2 x 3 x 0.6 mm）、8焊盘超薄DFN（5 x 6 x 0.6 mm）、8引脚TSSOP、8球WLCSP（3 x 2 x 3球矩阵）

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	2Mbit
	时钟频率(fc)	104MHz
	工作电压	1.65V~3.6V

	属性	参数值
	待机电流	25uA
	擦写寿命	100000次
	数据保留 - TDR(年)	20年
	功能特性	硬件写保护；写使能锁存；软件写保护

AT25DF021A-UUNHR-T

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商品特性

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