商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.15V |
商品特性
- 宽带内部匹配
- 非对称Doherty设计
- 主路:P1dB = 典型值20 W
- 峰值:P1dB = 典型值35 W
- P1dB时的输出功率 = 27 W
- 增益 = 17 dB
- 效率 = 59%
- 集成ESD保护
- ESD:人体模型,1B级(符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001标准)
- 能承受10:1的电压驻波比,@28 V、55 W(连续波)输出功率
- 低热阻
- 无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 铁路与牵引
- 太阳能
- 电动汽车充电器
- 工业自动化与测试