- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT41K512M16HA-125:ATR
8Gb: X4, X8, X16 DDR3L SDRAM
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- 品牌名称
- Alliance Memory
- 商品型号
- MT41K512M16HA-125:ATR
- 商品编号
- C20434109
- 商品封装
- FBGA-96(9x14)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 800MHz | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | - | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
DDR3L（1.35V）SDRAM是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM数据手册规格。
商品特性
- VDD = VDDQ = 1.35V（1.283 - 1.45V）
- 向后兼容至VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V
- 支持DDR3L设备在1.5V应用中向后兼容
- 差分双向数据选通
- 8n位预取架构
- 差分时钟输入（CK，CK#）
- 8个内部存储体
- 数据、选通和掩码信号的标称和动态片上终端（ODT）
- 可编程CAS（读）延迟（CL）
- 可编程后置CAS附加延迟（AL）
- 可编程CAS（写）延迟（CWL）
- 固定突发长度（BL）为8，突发截断（BC）为4（通过模式寄存器组[MRS]）
- 可动态选择BC4或BL8
- 自刷新模式
- 温度TC为95°C
- 温度高达85°C时，64ms内进行8192次刷新
- 温度在85°C至95°C时，32ms内进行8192次刷新
- 自刷新温度（SRT）
- 自动自刷新（ASR）
- 写电平校准
- 多功能寄存器
- 输出驱动器校准
- FCQ38999/24JG41PCMIL-STD-461
- FCQ38999/24WJ8SNMIL-STD-461
- FCQ38999/26MG75PAMIL-STD-461
- FCQ38999/26MB5BEMIL-STD-461
- MX3ACCC48M0
- FCQ38999/27YD5PCMIL-STD-461
- FCQ38999/20MJ61PAMIL-STD-461
- A/MLP2-D25-W-B-B-C-0P
- A/RH2-TT1K-R-4
- FCQ38999/20TB98PCMIL-STD-461
- A/RH3-100-2W-RO
- FCQ38999/26GF35SNMIL-STD-461
- GTCL02R16S-8PX-023-LC
- A/MLP2-004-W-B-B-A-0P
- FCQ38999/26JD15PBMIL-STD-461
- 8-1616396-5
- A/MLP2-040-W-B-B-A-5P
- A/TT1K-O-1-BB
- GTC06A20-16SX-023-LC
- A/MLP2-020-W-B-A-C-0P
- EVALAG9905-LPB