BLF6G38-10G,118
商品参数
参数完善中
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸™”条形工艺的最新成果。由此制成的晶体管在实现低导通电阻的同时具备极高的封装密度，拥有出色的雪崩特性，且光刻对准步骤要求较低，因此具备卓越的制造可重复性。
商品特性
- 最高可在32 V的最大漏源电压(VDS)下工作
- 集成静电放电(ESD)保护
- 出色的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计
- 内部匹配,使用方便
- 引脚镀金厚度低
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
3400 MHz至3600 MHz频率范围内基站和多载波应用的射频功率放大器
其他推荐
- GTC06RV20-24P-B30-LC
- FCQ38999/26SG75PBMIL-STD-461
- FCQ38999/26TD4BEMIL-STD-461
- GTC00A28-9SX-RDS-LC
- ACC04A24-58S-025-B30-LC
- GTC06AF22-20SW-B30-LC
- FCQ38999/20MB5BCMIL-STD-461
- 5.0SMDJ48CA-BX
- FCQ38999/26JJ43SBMIL-STD-461
- FCQ38999/27YH35PCMIL-STD-461
- VI-J00-IY-S
- 37D800
- 2042274-7
- ACC02E16S-4S-003-B30-LC
- GTC06CF28-11SW-025-LC
- ACC01CF24-12PW-025-LC
- GTC06A20A37S-023-LC
- GTC06AF22-7S-LC
- ACC04E12S-2S-003-B30-LC
- FCQ38999/24GE99SNMIL-STD-461
- MA0805XR475K250