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STB3055L2-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:85A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Trench技术，适用于需要高功率和高性能的电路模块。TO263；N—Channel沟道,20V；85A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.6V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STB3055L2-VB
- 商品编号
- C20417736
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 600pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.15nF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 或运算
- 服务器
- 直流-直流转换